特許
J-GLOBAL ID：200903042551070263
受光素子及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-031035
公開番号（公開出願番号）：特開平5-226687
出願日： 1992年02月18日
公開日（公表日）： 1993年09月03日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、暗電流の発生を防止し、アライメント不良の際においても周波数帯域等の特性に劣化が生じない受光素子及びその製造方法を提供することを目的とする。【構成】 InP基板(1)上にn-InP層(2)、i-GaInAs層(3)、p-GaInAs層(4)が積層されてpin-PDが構成されている。それぞれの層はメサ型に形成され、p-GaInAs層(4)のメサ径がi-GaInAs層(3)よりも小さく形成されて段差部分を有している。この段差部分におけるi-GaInAs層(3)の上面は、金属膜(9)によって被覆されている。上述の構造によれば、p-GaInAs層(4)より伸びる空乏層は、i-GaInAs層(3)の内部にのみとどまり、暗電流が低減する。さらに、アライメント不良等によりファイバからの入射光がp-GaInAs層(4)の外部に外れることがあっても、金属膜(9)によりその光が反射される。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に、第1導電型の不純物がドープされた第1導電型半導体層、高抵抗半導体層、第2導電型の不純物がドープされた第2導電型半導体層が順次積層されてメサ型に形成されている受光素子において、前記第2導電型半導体層のメサ径は前記高抵抗層のメサ径よりも小さく形成されて段差部分が設けられており、前記段差部分における前記高抵抗層の少なくとも上面は、非透光性材料で被覆されていることを特徴とする受光素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 31/10 A
, H01L 27/14 J
