半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-155457
公開番号（公開出願番号）：特開平11-003995
出願日： 1997年06月12日
公開日（公表日）： 1999年01月06日
要約：

【要約】【課題】強度的、コスト的に有利で、取り扱い易いモジュ-ルを提供する。【解決手段】プロ-ブホルダ49には、半導体チップ38の電極を圧接するコンタクトプロ-ブ40が固定されている。ネジ51により圧接力が印加される。ヒ-トシンク31は、セラミックと金属の複合材料から構成される。ヒ-トシンク31の表面には、金属層(アルミニウムなど)34aが形成される。金属支柱(アルミニウムなど)34bは、金属層34aと一体成型されるため、ヒ-トシンク31に一体化される。金属支柱34bは、半導体チップ38の電極に加える圧接力を支持する役割を果たす。

請求項（抜粋）：

半導体チップの電極を所定の圧接力で圧接する手段と、前記半導体チップが搭載される電気的に絶縁機能を有するヒ-トシンクと、前記ヒ-トシンクと一体化されると共に前記所定の圧接力を支持する支柱とを具備することを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/78 , H01L 25/07 , H01L 25/18

FI (3件)：

H01L 29/78 655 Z , H01L 25/04 C , H01L 29/78 652 Q

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