特許

J-GLOBAL ID：200903042557469800

デュアルゲートCMOSFETの製造方法

発明者： 松橋 秀明
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 大西 健治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-114316
公開番号（公開出願番号）：特開2000-307015
出願日： 1999年04月22日
公開日（公表日）： 2000年11月02日
要約：

【要約】【課題】 本発明は、デュアルゲートCMOSFETをより容易にかつ精度良く作成し、性能的にもコスト的にも、工業的な量産に耐えうる製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 本願発明のデュアルゲートCMOSFETの製造方法によれば、NMOSFETの深接合S/D形成の為のイオン注入を行った後、1050°C以上の高温で熱処理する工程と、PMOSFETの深接合S/D形成の為のイオン注入を行った後、1000°C以下の低温で熱処理する工程を、その順番に行うようにしたので、NMOSFETにおけるゲート電極であるN+ポリシリコン中のAsは十分に活性化され、空乏化という問題は起こらなくなり、PMOSFETにおけるゲート電極中のBのゲート酸化膜突き抜けによるしきい値電圧の変動という問題も起きないのである。

請求項（抜粋）：

半導体基板上にデュアルゲートCMOSFETを製造する方法であって、前記半導体基板のNMOSFET形成予定領域に深接合ソース/ドレインを形成するためのN型不純物のイオン注入を行う工程と、第1の不純物活性化熱処理を行う工程と、前記半導体基板のPMOSFET形成予定領域に深接合ソース/ドレインを形成するためのP型不純物のイオン注入を行う工程と、第2の不純物活性化熱処理を行う工程とを順次行うこと、を特徴とするデュアルゲートCMOSFETの製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/8238 ,  H01L 27/092 ,  H01L 21/265

FI (2件)：

H01L 27/08 321 E ,  H01L 21/265 602 B

Fターム (13件)：

5F048AA01 ,  5F048AA07 ,  5F048AC03 ,  5F048BA02 ,  5F048BB06 ,  5F048BB07 ,  5F048BC03 ,  5F048BC06 ,  5F048BD04 ,  5F048BE03 ,  5F048BG12 ,  5F048DA25 ,  5F048DA30