特許

J-GLOBAL ID：200903042561297070

集積化受光素子の製造方法

発明者： 樋口 潤
出願人/特許権者： 日本ビクター株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-088060
公開番号（公開出願番号）：特開2006-269891
出願日： 2005年03月25日
公開日（公表日）： 2006年10月05日
要約：

【課題】 受光素子部の受光感度がばらつくことなく、また、良好な受光感度が得られる集積化受光素子の製造方法を提供する。【解決手段】 半導体基板1に受光素子部CとMOSトランジスタ部Dとを集積化した集積化受光素子20の製造方法において、受光部11上の絶縁層5aを除去する前に、受光素子部Cの受光素子10a,10bのpn接合部を完全に覆うように多結晶シリコン層12を形成する。また、受光部11上の絶縁層5aを除去した後に反射防止膜17を形成する。【選択図】 図6

請求項（抜粋）：

半導体基板上に、pn接合部を有する受光素子を含む受光素子部である第1の領域と、前記受光素子の出力を増幅しゲートを有するトランジスタ部である第2の領域とを有する集積化受光素子を製造する、集積化受光素子の製造方法において、 前記半導体基板の一面に、第1の絶縁層を、前記第1の領域及び前記第2の領域としてそれぞれ独立に形成する第1絶縁層形成工程と、 前記第2の領域における前記第1の絶縁層の表面の一部に、前記ゲートを形成するゲート形成工程と、 前記半導体基板の前記第1の領域内の所定範囲における前記一面を含む内部に、前記受光素子を形成する受光素子形成工程と、 この受光素子形成工程の後に、前記第1の絶縁層の表面の前記受光素子の前記pn接合部に対応する範囲に、この範囲を完全に覆う多結晶シリコン層を形成するシリコン層形成工程と、 前記ゲートの近傍における前記半導体基板の前記一面を含む内部に、互いに離隔する第1及び第2のイオン注入部を形成する注入部形成工程と、 この注入部形成工程の後に、前記第1の領域及び前記第2の領域を完全に覆う第2の絶縁層を形成する第2絶縁層形成工程と、 この第2絶縁層形成工程の後に、前記第1の領域における、前記第2の絶縁層及び前記多結晶シリコン層で覆われていない範囲の前記第1の絶縁層を除去する除去工程と、 前記除去工程の後に、少なくとも前記第1の領域を覆う反射防止膜を形成する反射防止膜形成工程と、 を有することを特徴とする集積化受光素子の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 27/146 ,  H01L 31/10

FI (2件)：

H01L27/14 A ,  H01L31/10 A

Fターム (16件)：

4M118AB10 ,  4M118BA02 ,  4M118BA14 ,  4M118CA03 ,  4M118CA34 ,  4M118FC06 ,  4M118FC14 ,  4M118FC18 ,  5F049MA02 ,  5F049MB03 ,  5F049NA01 ,  5F049NB08 ,  5F049QA03 ,  5F049RA02 ,  5F049RA06 ,  5F049SZ03

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 特許第3506314号公報