特許

J-GLOBAL ID：200903042562700625

光点弧サイリスタ

発明者： 細谷 清志
出願人/特許権者： 松下電工株式会社
代理人 (1件)： 石田 長七 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-262943
公開番号（公開出願番号）：特開平8-125164
出願日： 1994年10月26日
公開日（公表日）： 1996年05月17日
要約：

【要約】【目的】光によりターンオン・ターンオフが可能とする。【構成】サイリスタThのカソード端子Kに直列に第2のMOSFET22を接続する。サイリスタThを構成するトランジスタQ1 のベースとカソード端子Kとの間に第1のMOSFET21を接続する。第1のMOSFET21のドレイン・ゲート間に接続されたフォトトランジスタ20に光を照射すると、第1及び第2のMOSFET21,22がオンする。それによりサイリスタThがターンオンし、光点弧サイリスタPThもターンオンする。光照射が停止されるとフォトトランジスタ20がオフとなり、第1及び第2のMOSFET21,22もオフとなる。よって、サイリスタThの電流経路が第2のMOSFET22により遮断され、光点弧サイリスタPThがターンオフする。すなわち、光によりターンオン・ターンオフが可能となる。

請求項（抜粋）：

アノード、カソード、第1及び第2のゲートを具備したPNPN接合の4層構造を有するサイリスタと、サイリスタの第1のゲート・カソード間に接続される第1のMOSFETと、第1のMOSFETのゲート・ドレイン間に接続されるフォトトランジスタと、サイリスタのカソードに直列接続されるとともにゲートがフォトトランジスタのエミッタと接続される第2のMOSFETとを備え、サイリスタのアノードにアノード端子を設けるとともにサイリスタ及び第2のMOSFETに直列にカソード端子を設けて成ることを特徴とする光点弧サイリスタ。

IPC (2件)：

H01L 29/74 ,  H01L 31/111

FI (4件)：

H01L 29/74 E ,  H01L 29/74 G ,  H01L 29/74 N ,  H01L 31/10 F