特許
J-GLOBAL ID：200903042570938304
4H形炭化珪素単結晶の成長方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
八田 幹雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-126463
公開番号（公開出願番号）：特開平7-330493
出願日： 1994年06月08日
公開日（公表日）： 1995年12月19日
要約：
【要約】【目的】 この発明は、4H形炭化珪素単結晶を簡単に確実に得ることを目的とする。【構成】 昇華再結晶法で炭化珪素単結晶を成長する方法において、種結晶に15R形炭化珪素単結晶の(0001)炭素面を使用する。
請求項（抜粋）：
黒鉛製のるつぼ内において炭化珪素原料粉末を不活性気体雰囲気中で昇華させ、原料よりやや低温になっている炭化珪素基板(種結晶)上に炭化珪素単結晶を成長させる昇華再結晶法において、種結晶として15R形炭化珪素の(0001)炭素面を使用することを特徴とする4H形炭化珪素単結晶成長方法。
IPC (2件)：
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