特許

J-GLOBAL ID：200903042572419347

層間絶縁膜の形成方法

発明者： 長谷川 利昭
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-126619
公開番号（公開出願番号）：特開平9-312334
出願日： 1996年05月22日
公開日（公表日）： 1997年12月02日
要約：

【要約】【課題】 導電性パターン(配線)の側壁に空洞の形成する方法では、空洞が形成される部分と空洞が形成されない部分とが生じ、また配線間を空洞で形成すると配線間で放電が発生して絶縁耐圧が劣化した。【解決手段】 第1工程で、基板11上に形成した酸化シリコン膜12上に導電性パターン13を形成した後、酸化シリコン膜12の表面にシランカップリング剤14を塗布し、第2工程で、基板11上に、導電性パターン13を覆う状態に有機膜15を形成し、第3工程で、有機膜15のガラス転移温度以上熱分解温度よりも低い温度で、上記有機膜15をアニーリングした後冷却して、導電性パターン13と有機膜15との間に空間17を形成する。

請求項（抜粋）：

表面が酸化シリコン系膜の基板上に導電性パターンを形成した後、前記酸化シリコン系膜の表面にシランカップリング剤を塗布する第1工程と、前記基板上に、前記導電性パターンを覆う状態に有機膜を形成する第2工程と、前記有機膜を、該有機膜のガラス転移温度以上該有機膜の熱分解温度よりも低い温度でアニーリングを行った後冷却して、前記導電性パターンと前記有機膜との間に空間を形成する第3工程とを備えたことを特徴とする層間絶縁膜の形成方法。

IPC (4件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/312 ,  H01L 21/324 ,  H01L 21/31

FI (5件)：

H01L 21/90 S ,  H01L 21/312 M ,  H01L 21/324 Z ,  H01L 21/90 N ,  H01L 21/95