特許

J-GLOBAL ID：200903042575015450

高機能性Ga2O3単結晶膜及びその製造方法

発明者： 大平 重男 ,  新井 直樹 ,  大島 孝仁 ,  藤田 静雄
出願人/特許権者： 日本軽金属株式会社 ,  国立大学法人京都大学
代理人 (1件)： 岡田 萬里
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-152984
公開番号（公開出願番号）：特開2008-303119
出願日： 2007年06月08日
公開日（公表日）： 2008年12月18日
要約：

【課題】波長250〜270nmの深紫外域で発光する光源として使用可能な高機能性Ga2O3単結晶薄膜を、簡便な手段で作製する。【解決手段】光学式浮遊帯域溶融法を用いて作製したβ-Ga2O3単結晶ウエハを基板とし、この基板の(100)面上に分子線エピタキシー法を用いて800°C以上の温度でβ-Ga2O3単結晶膜を成長させる。【選択図】図7

請求項（抜粋）：

β-Ga2O3単結晶ウエハ上に積層して形成されていることを特徴とする高機能性Ga2O3単結晶膜。

IPC (6件)：

C30B 29/16 ,  C30B 23/08 ,  C23C 14/08 ,  C23C 14/24 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00

FI (6件)：

C30B29/16 ,  C30B23/08 M ,  C23C14/08 J ,  C23C14/24 R ,  H01L21/205 ,  H01L33/00 A

Fターム (36件)：

4G077AA03 ,  4G077BB10 ,  4G077DA05 ,  4G077EA02 ,  4G077EA07 ,  4G077ED04 ,  4G077ED05 ,  4G077ED06 ,  4G077EH06 ,  4G077HA02 ,  4G077SC02 ,  4G077SC05 ,  4K029AA04 ,  4K029AA24 ,  4K029BA43 ,  4K029BB09 ,  4K029BD01 ,  4K029CA02 ,  4K029DB03 ,  4K029DB14 ,  4K029DB18 ,  4K029EA03 ,  4K029EA08 ,  5F041AA14 ,  5F041CA34 ,  5F041CA66 ,  5F045AA05 ,  5F045AB40 ,  5F045AD12 ,  5F045AE07 ,  5F045AF01 ,  5F045BB16 ,  5F045CA10 ,  5F045CA12 ,  5F045DP02 ,  5F045DQ10