半導体装置およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：佐藤隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-105019
公開番号（公開出願番号）：特開平11-297848
出願日： 1998年04月15日
公開日（公表日）： 1999年10月29日
要約：

【要約】【課題】従来の1回のゲート酸化で実効的な出来上がりのゲート酸化膜厚を複数種類とする製法では、ゲート電極の仕事関数やシート抵抗が大きく変動する。【解決手段】ゲート絶縁膜厚に依存するような特性上の相違がある複数種類のトランジスタを有する。この複数種類のトランジスタ間でゲート絶縁膜6の膜厚が一定の値に設定され、かつゲート絶縁膜6上の(例えば、高融点金属シリサイドからなる)多結晶ゲート電極22a,22bのグレンサイズをトランジスタの種類に応じて変える。具体的には、例えば結晶化熱処理の前に、ゲート電極22a,22bとなる膜への不純物の種類、導入量の少なくとも何れかを変えるか、当該ゲート電極22a,22bとなる膜の膜厚を例えば選択的なエッチングにより局所的に変化させる。

請求項（抜粋）：

ゲート絶縁膜厚に依存するような特性上の相違がある複数種類のトランジスタを有する半導体装置であって、当該複数種類のトランジスタ間で前記ゲート絶縁膜の膜厚が一定の値に設定され、かつ、前記ゲート絶縁膜上の多結晶ゲート電極のグレインサイズをトランジスタの種類に応じて変えてある半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/8234 , H01L 27/088 , H01L 29/78

FI (2件)：

H01L 27/08 102 C , H01L 29/78 301 G

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