特許

J-GLOBAL ID：200903042579725850

シリコン半導体基板の製造方法

発明者： 茨木 正 ,  佐藤 茂樹 ,  後藤 正三郎
出願人/特許権者： 直江津電子工業株式会社 ,  信越半導体株式会社
代理人 (1件)： 早川 政名 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-100278
公開番号（公開出願番号）：特開平10-294284
出願日： 1997年04月17日
公開日（公表日）： 1998年11月04日
要約：

【要約】【課題】 N型不純物として砒素を使用せずに低抵抗率のN型基板を製造することが出来る方法の確立。【解決手段】 所定の導電型の不純物濃度を有するシリコン半導体基板の両表面からN型不純物を拡散法により導入し、その基板の全領域にわたり不純物濃度を拡散前の不純物濃度以上にする。

請求項（抜粋）：

導電型がN型又はP型の不純物が所定量添加された所定の抵抗率の基板、または不純物を添加する工程を経ないで製造された基板に、その基板両表面からN型不純物を拡散法により導入し、その基板の全領域に亘り不純物濃度を拡散前の不純物濃度以上にして低抵抗率のN型シリコン半導体基板を得ることを特徴とするシリコン半導体基板の製造方法。