半導体デバイスにメタル窒化物膜を統合するための方法及び装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：長谷川芳樹 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-290804
公開番号（公開出願番号）：特開2001-148380
出願日： 2000年09月25日
公開日（公表日）： 2001年05月29日
要約：

【要約】【課題】半導体デバイスにメタル窒化物膜を統合するための基板処理方法。【解決手段】本発明によれば、誘電層は基板の上に形成される。誘電層は、窒素パッシベーションされた誘電層を形成するために第2のチャンバの中に形成される活性窒素原子に、第1のチャンバの中に次いで曝露される。メタル窒化物膜は、窒素パッシベーションされた誘電層の上で次いで形成される。

請求項（抜粋）：

基板を処理するための方法であって、誘電体基板の上に層を形成するステップと、第1のチャンバ内で前記誘電層を、第2のチャンバ内で形成された活性窒素原子に曝露して、窒素パッシベーション誘電層を形成するステップと、前記窒素パッシベーション誘電層の上にメタル窒化物層を形成するステップとを有する方法。

IPC (10件)：

H01L 21/316 , C23C 16/34 , C23C 16/40 , C23C 16/46 , H01L 21/285 , H01L 21/285 301 , H01L 27/108 , H01L 21/8242 , H01L 29/43 , H01L 29/78

FI (10件)：

H01L 21/316 P , H01L 21/316 X , C23C 16/34 , C23C 16/40 , C23C 16/46 , H01L 21/285 C , H01L 21/285 301 R , H01L 27/10 621 A , H01L 29/62 G , H01L 29/78 301 G

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