特許

J-GLOBAL ID：200903042601410818

単結晶育成用石英ルツボ及びその製造方法

発明者： 碇 敦 ,  木村 茂行 ,  泉妻 宏治 ,  川西 荘六 ,  十河 慎二 ,  佐々木 斉
出願人/特許権者： 新技術事業団 ,  碇 敦 ,  泉妻 宏治 ,  川西 荘六 ,  十河 慎二 ,  佐々木 斉
代理人 (1件)： 小倉 亘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-091433
公開番号（公開出願番号）：特開平8-259377
出願日： 1995年03月24日
公開日（公表日）： 1996年10月08日
要約：

【要約】【目的】 耐久性に優れ、単結晶の品質向上に有効なルツボを得る。【構成】 この単結晶育成用石英ルツボは、1415〜1430°Cの温度範囲にあるSi融液との接触で生成した緻密な結晶質石英層で内面がコーティングされている。【効果】 結晶質石英層は、Si融液に対するルツボの耐侵食性を改善し、石英パーティクル等に由来する欠陥のないSi単結晶を育成する作用を呈する。

請求項（抜粋）：

1415〜1430°Cの温度範囲にあるSi融液との接触で生成した緻密な結晶質石英層で内面がコーティングされている単結晶育成用石英ルツボ。

IPC (5件)：

C30B 15/10 ,  C03B 20/00 ,  C04B 41/87 ,  C30B 29/06 502 ,  H01L 21/208

FI (5件)：

C30B 15/10 ,  C03B 20/00 ,  C04B 41/87 P ,  C30B 29/06 502 B ,  H01L 21/208 P