特許
J-GLOBAL ID:200903042601464080

固体撮像素子

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 岡本 啓三
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-288730
公開番号(公開出願番号):特開2001-111028
出願日: 1999年10月08日
公開日(公表日): 2001年04月20日
要約:
【要約】【課題】 光電変換素子の面積を十分に大きくすることができる固体撮像素子を提供すること。【解決手段】 半導体基板と、行方向及び列方向にそれぞれ所定の配列間隔で前記半導体基板上に複数形成され、一対角線が行方向と平行であるような概略正方形の光電変換素子203と、前記複数の光電変換素子203の間を縫うようにして概略列方向に延びる垂直電荷転送路202と、前記概略正方形の一対角線上にある前記光電変換素子の一コーナ部(H点)と前記垂直電荷転送路202とを繋ぐようにして形成される読み出しゲート部204と、前記一コーナ部(H点)を除く前記光電変換素子203の外側辺に形成される素子分離領域201とを備える。
請求項(抜粋):
半導体基板と、行方向及び列方向にそれぞれ所定の配列間隔で前記半導体基板上に複数形成される多角形の光電変換素子と、前記複数の光電変換素子の間を縫うようにして概略列方向に延びる垂直電荷転送路と、前記多角形の光電変換素子の一コーナ部と前記垂直電荷転送路とを繋ぐようにして形成される読み出しゲート部と、前記一コーナ部を除く前記光電変換素子の外側辺に形成される素子分離領域とを備える固体撮像素子。
IPC (2件):
H01L 27/148 ,  H04N 5/335
FI (3件):
H04N 5/335 U ,  H04N 5/335 F ,  H01L 27/14 B
Fターム (18件):
4M118AA02 ,  4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA10 ,  4M118CA03 ,  4M118CA20 ,  4M118DA12 ,  4M118DB01 ,  4M118FA06 ,  4M118FA26 ,  4M118FA33 ,  5C024AA01 ,  5C024CA15 ,  5C024FA01 ,  5C024FA11 ,  5C024GA01 ,  5C024GA11 ,  5C024GA26

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