特許

J-GLOBAL ID：200903042607276188

ウェハ研磨剤およびこれを用いた半導体装置の製造方法

発明者： 林 幹司
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 尾身 祐助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-009932
公開番号（公開出願番号）：特開平10-209092
出願日： 1997年01月23日
公開日（公表日）： 1998年08月07日
要約：

【要約】【目的】 ブランケットタングステン(W)を化学機械研磨(CMP)してWプラグを形成する際に、プラグロスと酸化膜上でのマイクロスクラッチの発生を防止できる研磨剤を提供する。【構成】 平均一次粒子径40〜110nmのシリカ、0.01〜0.03mol/lのNH4 OH、および有機系酸化剤を含有することを特徴とするW-CMP用のウェハ研磨剤である。好ましくは、pHが8.0〜8.5に設定され、また、酸化還元電位(ORP)は+550〜650mV(液温23°C)に設定される。

請求項（抜粋）：

平均一次粒子径40〜110nmのシリカ、0.01〜0.03mol/lのNH4 OH、および有機系酸化剤を含有することを特徴とする化学機械研磨用のウェハ研磨剤。

IPC (2件)：

H01L 21/304 321 ,  B24B 37/00

FI (2件)：

H01L 21/304 321 P ,  B24B 37/00 H