高ブレークダウン電圧炭化珪素トランジスタ

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：大貫進介 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-247226
公開番号（公開出願番号）：特開平9-107094
出願日： 1996年08月28日
公開日（公表日）： 1997年04月22日
要約：

【要約】【課題】ブレークダウン電圧が高く、しかもオン抵抗が低い炭化珪素トランジスタを提供する。【解決手段】横型炭化珪素トランジスタ(10)は、変調チャネル領域(18)を利用して蓄積領域を形成することによって、低いオン抵抗を容易に得ることができる。チャネル層のドープ領域がチャネル挿入部(14)を形成し、これもトランジスタ(10)のオン抵抗を低下させる。損傷終止層(27)を利用することによって、高いブレークダウン電圧が容易に得られる。電界板(23,24)も、トランジスタ(10)のブレークダウン電圧の上昇およびオン抵抗の低下を補助する。

請求項（抜粋）：

炭化珪素トランジスタ(10)であって:炭化珪素基板(11);前記基板(11)上の、第1導電型のサブチャネル層(12);第2導電型と第1ドーピング濃度とを有するチャネル層(13)であって、前記サブチャネル層上にある前記チャネル層(13);前記チャネル層(13)上にあるチャネル挿入部(14)であって、前記第2導電型と、前記第1ドーピング濃度よりも高い第2ドーピング濃度とを有する前記チャネル挿入部(14);前記チャネル層(13)上にあり、前記チャネル挿入部(14)から第1の距離だけ離間されている、第2導電型のソース領域(16);および前記ソース領域(16)から前記チャネル挿入部(14)まで横方向に延びる変調チャネル領域(18);から成ることを特徴とする炭化珪素トランジスタ(10)。

前のページに戻る