特許
J-GLOBAL ID：200903042611829752

不揮発性メモリ内蔵半導体集積回路及びそのアクセス装置

発明者：
黒住 茂久

黒住 茂久 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (1件)： 藤本 英介
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-167341
公開番号（公開出願番号）：特開2000-357118
出願日： 1999年06月14日
公開日（公表日）： 2000年12月26日
要約：
【要約】【課題】 書き換え回数を超過した場合は、不揮発性メモリへの書込み、読み出し、及び/又は、消去を禁止し、同時にプログラム等のデータのセキュリティを保証した半導体集積回路装置を提供すること。【解決手段】 1回の不揮発性メモリ3への書き換えを行うたびに1つカウントアップ又はカウントダウンするカウンタ5の書き換え回数に所定演算を行うことで書換値を得、かつ、該書換値をカウンタメモリセル7に記憶するカウンタ制御部6を設け、メモリ制御部4はカウンタメモリセル7に記憶された書換値に基づいて、不揮発性メモリ3への書き換え、及び/又は、読み出しを禁止する。
請求項（抜粋）：
電気的にデータの書き換え可能な不揮発性メモリを制御するメモリ制御部と、該不揮発性メモリへの書き換え回数をカウントするカウンタと、該カウンタの書き換え回数に対応する書換値を記憶するカウンタメモリセルとを備えた不揮発性メモリを内蔵した半導体集積回路において、1回の不揮発性メモリへの書き換えを行うたびに1つカウントアップ又はカウントダウンする前記カウンタの書き換え回数に所定演算を行うことで書換値を得、かつ、該書換値をカウンタメモリセルに記憶するカウンタ制御部を設け、前記メモリ制御部は、前記カウンタメモリセルに記憶された書換値に基づいて、不揮発性メモリへの書き換え、及び/又は、読み出しを禁止することを特徴とする不揮発性メモリ内蔵半導体集積回路。
IPC (2件)：
G06F 12/00 542 ,  G06F 12/14 310
FI (2件)：
G06F 12/00 542 J ,  G06F 12/14 310 A
Fターム (8件)：
5B017AA01 ,  5B017AA07 ,  5B017BA08 ,  5B017BB10 ,  5B017CA15 ,  5B082DA00 ,  5B082EA07 ,  5B082FA11
引用特許：
審査官引用 (2件)

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