特許
J-GLOBAL ID：200903042611926324
サーミスタ用酸化物半導体の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-295504
公開番号（公開出願番号）：特開平5-135913
出願日： 1991年11月12日
公開日（公表日）： 1993年06月01日
要約：
【要約】【目的】 マンガン、コバルトおよびニッケルを主成分とするサーミスタ用酸化物半導体の電気特性を容易に制御することができ、また種々の所望の電気特性が得られる製造方法を提供する。【構成】 焼成後のサーミスタ用酸化物半導体に600°C〜1100°Cの温度で酸素分圧25%以上の酸化雰囲気中の熱処理を施すことにより、その結晶状態や酸素含有量が変化して比抵抗やサーミスタ定数が変化する。したがって、適切なこの熱処理を施すことにより、所望の電気特性を有するサーミスタ用酸化物半導体を容易に製造することができる。
請求項（抜粋）：
マンガン、コバルトおよびニッケルを主成分とするサーミスタ用酸化物半導体の製造方法において、成形体を焼成した後、600°C〜1100°Cの温度でかつ酸素分圧が25%以上の酸化雰囲気中で熱処理することを特徴とするサーミスタ用酸化物半導体の製造方法。
IPC (2件)：
引用特許：
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