特許

J-GLOBAL ID：200903042616117041

半導体装置の製造方法

発明者： 白井 久嗣
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-271498
公開番号（公開出願番号）：特開平5-109600
出願日： 1991年10月18日
公開日（公表日）： 1993年04月30日
要約：

【要約】【目的】 レジストパターンの形成方法に関し, 現像中に膨潤の影響を受けないようにレジストの残膜厚を制御して,微細パターンを解像性よくパターニングすることを目的とする。【構成】 1)所望パターンの遮光膜4(または遮光膜開口部)の周囲に補助パターンの遮光膜4A(または遮光膜開口部)を設けたマスクを用いてウエハ1上に被着されたネガ(またはポジ)型レジスト膜2を露光および現像し, 該所望パターンに対応するレジストパターン開口部の周囲のレジスト残膜を該補助パターンの遮光膜4A(または遮光膜開口部)を設けないマスクを用いた場合より減少させる,2)前記補助パターンの遮光膜4Aの線幅は露光装置の解像限界寸法未満であるように構成する。

請求項（抜粋）：

所望パターンの遮光膜4の周囲に補助パターンの遮光膜4Aを設けたマスクを用いてウエハ1上に被着されたネガ型レジスト膜2を露光および現像し, 該所望パターンに対応するレジストパターン開口部の周囲のレジスト残膜を該補助パターンの遮光膜4Aを設けないマスクを用いた場合より減少させることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/20 521 ,  G03F 7/26