特許

J-GLOBAL ID：200903042616962680

熱処理方法及び半導体装置の製造方法

発明者： 蓮沼 正彦
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 須山 佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-284364
公開番号（公開出願番号）：特開2005-051185
出願日： 2003年07月31日
公開日（公表日）： 2005年02月24日
要約：

【課題】マイクロボイドが少なく、かつ結晶粒が粗大化した金属膜を得ることができる熱処理方法、及び配線不良が起こり難い半導体装置を得ることができる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】ウェハWは、ビアホール10a及び配線溝10bを備えた層間絶縁膜10が形成されている。層間絶縁膜10上にはバリアメタル膜11が形成されており、バリアメタル膜11上にはビアホール10a及び配線溝10aに埋め込まれるように配線膜13が形成されている。この状態で、配線膜13が弾性変形し、かつ圧縮応力が働く温度領域で第1の熱処理を施し、その後配線膜13が塑性変形する温度領域で第2の熱処理を施す。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板に形成された金属膜の圧縮弾性変形温度領域で前記金属膜に第1の熱処理を施す工程と、 前記第1の熱処理の後に、前記金属膜の塑性変形温度領域で前記金属膜に第2の熱処理を施す工程と、 を具備することを特徴とする熱処理方法。

IPC (1件)：

H01L21/3205

FI (1件)：

H01L21/88 M

Fターム (61件)：

5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH18 ,  5F033HH21 ,  5F033HH27 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ08 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ21 ,  5F033JJ27 ,  5F033JJ32 ,  5F033JJ33 ,  5F033JJ34 ,  5F033KK11 ,  5F033KK21 ,  5F033LL01 ,  5F033LL02 ,  5F033LL08 ,  5F033MM01 ,  5F033MM02 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP06 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033PP28 ,  5F033PP33 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ46 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ59 ,  5F033QQ61 ,  5F033QQ62 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ82 ,  5F033QQ84 ,  5F033QQ92 ,  5F033RR01 ,  5F033RR04 ,  5F033RR05 ,  5F033RR06 ,  5F033RR09 ,  5F033RR11 ,  5F033RR21 ,  5F033RR29 ,  5F033SS04 ,  5F033SS11 ,  5F033SS15 ,  5F033SS21 ,  5F033WW00 ,  5F033WW03 ,  5F033XX00 ,  5F033XX06 ,  5F033XX19