特許

J-GLOBAL ID：200903042618999580

半導体装置

発明者： 桜井 直樹
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-024954
公開番号（公開出願番号）：特開平8-222730
出願日： 1995年02月14日
公開日（公表日）： 1996年08月30日
要約：

【要約】 (修正有)【構成】過電流を検出して電流を低減する機能を持つ半導体装置であって、複数個の半導体素子を並列に動作させて大電流を得る半導体装置において、過電流を検出して電流を低減する装置が1個のみ設けた。【効果】過電流を検出して電流を低減する機能は個々の半導体素子を持つのではなく、共通のため、電流は複数の半導体装置で同時に遮断されるため、特定の半導体装置に電流が集中することがなくこのため跳ね上がり電圧も小さくなり、半導体装置が破壊しにくくなる。

請求項（抜粋）：

過電流を検出して電流を低減する機能を持つ半導体装置であって、複数個の半導体素子を並列に動作させて大電流を得る半導体装置において、過電流を検出して電流を低減する装置を1個のみ設けたことを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 29/78 ,  H01L 23/58 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (4件)：

H01L 29/78 301 K ,  H01L 23/56 C ,  H01L 27/04 H ,  H01L 29/78 301 J