特許

J-GLOBAL ID：200903042619188403

半導体装置およびその実装方法

発明者： 福山 聡 ,  吉田 育生
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-257989
公開番号（公開出願番号）：特開2001-085558
出願日： 1999年09月10日
公開日（公表日）： 2001年03月30日
要約：

【要約】【課題】 反り量の大きな基板であっても、半導体装置を確実に、かつ接続信頼性を損なうことなくバンプ接続する。【解決手段】 キャリア基板2の電極部8に形成されるはんだバンプ9は、プリント配線基板の反り量に応じてバンプ高さが異なっている。たとえば、バンプ9が接続されるプリント配線基板における基板電極の領域において、0μm、30μm、60μm、90μmの4つの反り量の領域がある場合、半導体装置1には4種類のはんだバンプ9a〜9dが形成される。反り量が0μmの領域では標準のバンプ高さのはんだバンプ9aが形成される。反り量が30μm、60μm、90μmの領域では、はんだバンプ9aよりも30μm、60μm、90μm高いはんだバンプ9b〜9dがそれぞれ形成される。これらはんだバンプ9a〜9dを介して実装することにより接続信頼性を向上させることができる。

請求項（抜粋）：

キャリア基板の表面に半導体チップが搭載され、前記キャリア基板の表面に設けられた接続用電極と前記半導体チップに設けられたチップ電極とがバンプを介して接続された半導体装置であって、前記バンプを、前記キャリア基板の反り量に見合った高さに形成し、前記バンプの高さを前記キャリア基板の反りによって生じる勾配に適合させたことを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 23/12 ,  H01L 21/60 311 ,  H01L 21/60 ,  H05K 3/34 507

FI (5件)：

H01L 23/12 L ,  H01L 21/60 311 S ,  H05K 3/34 507 C ,  H01L 21/92 602 Q ,  H01L 21/92 604 E

Fターム (7件)：

5E319BB04 ,  5E319CC33 ,  5E319CD21 ,  5F044KK01 ,  5F044KK17 ,  5F044LL01 ,  5F044QQ02