特許
J-GLOBAL ID：200903042626619479
半導体製造用炭化珪素焼結体の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
広瀬 章一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-006264
公開番号（公開出願番号）：特開平6-211574
出願日： 1993年01月18日
公開日（公表日）： 1994年08月02日
要約：
【要約】【目的】 炭化珪素粉末の成形体を仮焼して多孔質体とし、次いで溶融金属シリコンの含浸により反応焼結させて、半導体治具製造用の炭化珪素焼結体を製造する方法において、半導体製造に有害な各金属元素の含有量が1ppm 以下の焼結体を得る。【構成】 原料の炭化珪素粉末として、好ましくは液状の珪素含有原料と、半導体製造に有害な元素を含まない触媒を用いて合成された重合性または架橋性の有機化合物からなる液状の炭素含有原料からなる原料混合物の加熱硬化と非酸化性雰囲気下での焼成により得た、平均粒径 0.5〜20μm、遊離炭素含有量20重量%以下、半導体製造に有害な各金属元素の含有量1ppm 以下、の炭化珪素粉末を使用する。
請求項（抜粋）：
炭化珪素粉末を成形して得た成形体を非酸化性雰囲気下で仮焼し、得られた多孔質体に溶融金属シリコンを含浸させて反応焼結させることからなる、半導体製造用炭化珪素焼結体の製造方法であって、前記炭化珪素粉末が、(a) 液状珪素化合物と、加水分解性珪素化合物より合成された珪素質固体とからなる群より選ばれた少なくとも1種の珪素含有原料、および(b) 半導体製造に有害な元素を含まない触媒を用いて合成された重合性または架橋性の有機化合物から選ばれた少なくとも1種の炭素含有原料、からなる、炭素および珪素を含有し、少なくとも1成分が液状である原料混合物を、加熱および/または触媒もしくは架橋剤を用いて固化させ、得られた固形物を非酸化性雰囲気下で加熱焼成することにより得た、平均粒径が 0.5〜20μm、遊離炭素含有量が20重量%以下、半導体製造に有害な各金属元素の含有量が1ppm 以下、の炭化珪素粉末であり、仮焼後に得られた多孔質体は炭素微粒子を含まないか又は多孔質炭化珪素の母相に炭素微粒子が均一分散された組織を有することを特徴とする、半導体製造用炭化珪素焼結体の製造方法。
IPC (5件)：
C04B 35/56 101
, C04B 35/56
, C01B 31/36
, C04B 41/85
, H01L 21/22
