特許

J-GLOBAL ID：200903042628461449

半導体デバイスの内部構造検査方法及びその検査装置

発明者： 安田 正治
出願人/特許権者： 松下電工株式会社
代理人 (1件)： 安藤 淳二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-161577
公開番号（公開出願番号）：特開2002-350514
出願日： 2001年05月30日
公開日（公表日）： 2002年12月04日
要約：

【要約】【課題】 異種材料が接合され複雑な構造をしたものでも簡単に非破壊で行うことができる半導体デバイスの内部構造検査方法及びその検査装置を提供する。【解決手段】 半導体デバイスの内部構造を検査する内部構造検査方法において、電磁シールド性を有した導電性材料で形成された遮蔽ケース2c内に、少なくとも計測用端子2aとアース用端子2bとを有するプローブ2と被検査サンプルとなる半導体デバイスS1とを配置し、前記プローブ2の前記両端子2a、2bそれぞれを前記半導体デバイスS1の有する導電部の所定の異なる位置に接触させて、高周波発生器91により前記両端子2a、2b間に高周波電圧又は高周波電力を印加し、インピーダンス計測器92にて前記両端子2a、2b間の高周波電圧と電流から前記半導体デバイスS1のインピーダンスを計測することにより内部構造を検査する。

請求項（抜粋）：

半導体デバイスの内部構造を検査する半導体デバイスの内部構造検査方法において、電磁シールド性を有した導電性材料で形成された遮蔽ケース内に、少なくとも計測用端子とアース用端子とを有するプローブと被検査サンプルとなる半導体デバイスとを配置し、前記プローブの前記両端子それぞれを前記半導体デバイスの有する導電部の所定の異なる位置に接触させて、高周波発生器により前記プローブの前記両端子間に高周波電圧又は高周波電力を印加し、インピーダンス計測器にて前記プローブの前記両端子間の高周波電圧と電流から前記半導体デバイスのインピーダンスを計測することにより前記半導体デバイスの内部構造を検査するようにしたことを特徴とする半導体デバイスの内部構造検査方法。

IPC (5件)：

G01R 31/316 ,  G01R 27/02 ,  G01R 31/28 ,  G01R 31/319 ,  H01L 29/84

FI (5件)：

G01R 27/02 A ,  H01L 29/84 Z ,  G01R 31/28 C ,  G01R 31/28 K ,  G01R 31/28 R

Fターム (16件)：

2G028BB11 ,  2G028BC10 ,  2G028BD10 ,  2G028CG08 ,  2G028FK01 ,  2G028FK02 ,  2G028HN09 ,  2G132AA11 ,  2G132AD03 ,  2G132AE00 ,  2G132AF01 ,  2G132AL11 ,  4M112AA01 ,  4M112AA02 ,  4M112FA20 ,  4M112GA03