特許

J-GLOBAL ID：200903042634457119

低誘電率磁器組成物とその製造方法

発明者： 山元 寿文 ,  築山 良男
出願人/特許権者： 株式会社住友金属エレクトロデバイス
代理人 (1件)： 穂上 照忠 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-256178
公開番号（公開出願番号）：特開2003-063858
出願日： 2001年08月27日
公開日（公表日）： 2003年03月05日
要約：

【要約】【課題】低温焼結が可能で、誘電率が低く高周波帯域での損失が小さく、かつ温度依存性が小さく、そしてAgを内部電極としたときの拡散やマイグレーションがない誘電体基板用磁器組成物およびその製造方法の提供。【解決手段】酸化物組成比として質量%で、SiO2:26.0〜38.0%、ZnO:34.0〜49.0%、Bi2O3:1.0〜5.7%、MgO:1.0〜6.0%、TiO2:3.5〜15.1%、Li2O:2.0〜6.0%、K2O:2.0〜9.0%およびB2O3:0.5〜3.0%を含有する誘電体磁器組成物、および各酸化物の粉末原料を所要量配合しボールミルにて湿式混合して、乾燥後700〜900°Cにて仮焼し粉砕整粒した後、バインダを添加して混練し、所要形状に成形、導電体等の印刷、積層等をおこなってから、800〜925°Cにて焼成する上記の誘電体磁器組成物の製造方法。

請求項（抜粋）：

酸化物組成比として質量%で、SiO2:26.0〜38.0%、ZnO:34.0〜49.0%、Bi2O3:1.0〜5.7%、MgO:1.0〜6.0%、TiO2:3.5〜15.0%、Li2O:2.0〜6.0%、K2O:2.0〜9.0%およびB2O3:0.5〜3.0%を含有することを特徴とする低誘電率磁器組成物。

IPC (2件)：

C04B 35/453 ,  H01B 3/12 325

FI (2件)：

H01B 3/12 325 ,  C04B 35/00 P

Fターム (31件)：

4G030AA02 ,  4G030AA04 ,  4G030AA07 ,  4G030AA16 ,  4G030AA32 ,  4G030AA35 ,  4G030AA37 ,  4G030AA43 ,  4G030BA12 ,  4G030GA08 ,  4G030GA14 ,  4G030GA22 ,  4G030GA27 ,  5G303AA07 ,  5G303AB06 ,  5G303AB10 ,  5G303AB11 ,  5G303AB15 ,  5G303AB20 ,  5G303BA12 ,  5G303CA01 ,  5G303CB02 ,  5G303CB05 ,  5G303CB14 ,  5G303CB16 ,  5G303CB17 ,  5G303CB30 ,  5G303CB35 ,  5G303CB38 ,  5G303DA04 ,  5G303DA05