特許

J-GLOBAL ID：200903042635549793

光電変換素子の作成方法及び光電変換素子

発明者： 吉川 将
出願人/特許権者： 富士写真フイルム株式会社
代理人 (1件)： 高石 橘馬
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-246637
公開番号（公開出願番号）：特開2002-334728
出願日： 2001年08月15日
公開日（公表日）： 2002年11月22日
要約：

【要約】【課題】 優れた変換効率を示す色素増感光電変換素子の作成方法、この方法で作成した光電変換素子、並びにこの光電変換素子を用いた光電池を提供する。【解決手段】 本発明の方法は少なくとも1種の色素が吸着した半導体微粒子膜の層と導電性支持体とを有する光電変換素子を作成する方法であり、半導体微粒子を下記一般式(I)で表される少なくとも1種の化合物で処理することを特徴とする。【化1】一般式(I)中、Xは酸素原子、硫黄原子、セレン原子又はNR3を表し、R1及びR2はそれぞれ独立に水素原子、脂肪族炭化水素基、アリール基、ヘテロ環基、-OR4、-N(R5)(R6)、-C(=O)R7、-C(=S)R8又はSO2R9を表し、Yは水素原子、脂肪族炭化水素基、アリール基、ヘテロ環基、-OR4又は-SR10を表す。また、R3は水素原子、脂肪族炭化水素基、ヒドロキシ基又はアルコキシ基を表し、R4は水素原子又は脂肪族炭化水素基を表し、R5及びR6はR1及びR2と同義であり、R7、R8及びR9はYと同義であり、R10はR4と同義である。

請求項（抜粋）：

少なくとも1種の色素が吸着した半導体微粒子の層と導電性支持体とを有する光電変換素子の作成方法において、前記半導体微粒子を下記一般式(I)で表される少なくとも1種の化合物で処理することを特徴とする光電変換素子の作成方法。【化1】一般式(I)中、Xは酸素原子、硫黄原子、セレン原子又はNR3を表し、R1及びR2はそれぞれ独立に水素原子、脂肪族炭化水素基、アリール基、ヘテロ環基、-OR4、-N(R5)(R6)、-C(=O)R7、-C(=S)R8又はSO2R9を表し、Yは水素原子、脂肪族炭化水素基、アリール基、ヘテロ環基、-OR4又は-SR10を表す。また、R3は水素原子、脂肪族炭化水素基、ヒドロキシ基又はアルコキシ基を表し、R4は水素原子又は脂肪族炭化水素基を表し、R5及びR6はR1及びR2と同義であり、R7、R8及びR9はYと同義であり、R10はR4と同義である。

IPC (2件)：

H01M 14/00 ,  H01L 31/04

FI (2件)：

H01M 14/00 P ,  H01L 31/04 Z

Fターム (11件)：

5F051AA14 ,  5F051CB13 ,  5F051FA03 ,  5F051FA06 ,  5H032AA06 ,  5H032AS16 ,  5H032AS19 ,  5H032CC16 ,  5H032EE04 ,  5H032EE16 ,  5H032EE17