リードフレームの製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-162823
公開番号（公開出願番号）：特開平11-017091
出願日： 1997年06月19日
公開日（公表日）： 1999年01月22日
要約：

【要約】【課題】逆ディンプルの径を大きくし、また、素材とするリードフレーム材の板厚が逆ディンプルの径より小さくても、略ハーフエッチング状とした所望する形状の逆ディンプルが得られるリードフレームの製造方法を提供し、耐久性の良い半導体集積回路装置を得る。【解決手段】金属薄板を素材とし、フォトエッチング法にて、半導体集積回路チップが載置されるアイランドが形成され、かつ、前記アイランドの半導体集積回路チップが載置される面と反対面側に、金属薄板の板厚より大きな径を有する凹部を複数形成したリードフレームを製造する方法であって、前記凹部となる金属薄板部位に形成するフォトレジスト膜の開口パターンの中央部領域に、フォトレジスト膜よりなる島状のダミーパターンを形成したことを特徴とするリードフレームの製造方法。

請求項（抜粋）：

金属薄板を素材とし、フォトエッチング法にて、半導体集積回路チップが載置されるアイランドが形成され、かつ、前記アイランドの半導体集積回路チップが載置される面と反対面側に、金属薄板の板厚より大きな径を有する凹部を複数個形成したリードフレームを製造する方法であって、前記凹部となる金属薄板部位に形成するフォトレジスト膜の開口パターンの中央部領域に、エッチング時に金属薄板に生じるサイドエッチングにより下部が抉られることでエッチング終了時までに剥落し、かつ、エッチング深度の進行を妨げることで金属薄板にハーフエッチング部を形成する、フォトレジスト膜よりなる島状のダミーパターンを形成したことを特徴とするリードフレームの製造方法。

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