特許
J-GLOBAL ID：200903042638787067
遮蔽された2次アノードを用いた電気的絶縁体の直流反応性プラズマ蒸着装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-066101
公開番号（公開出願番号）：特開平6-346236
出願日： 1994年04月04日
公開日（公表日）： 1994年12月20日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 DCスパッタリングを用いた電気絶縁材の蒸着のための反応性プラズマ気相蒸着において、プラズマを安定化させスパッタリングの効率を維持させる。【構成】 DCスパッタリングのチャンバー10内に2次アノード22を備え、望ましくはそれを1次アノード15に対して正バイアスに保持する手段をも備える。2次アノードはスパッタ材の流れの露出から遮蔽されるように設置されるが、プラズマ放電に近づけることでプラズマの電荷を保つために十分な電子吸引能力を維持することができる。そして、チャンバー内にスパッタリングガス及び反応性ガスを導入することにより、反応性スパッタリングによる基板19への絶縁体の蒸着に適用される。
請求項（抜粋）：
基板に入射するスパッタされた原子流を形成することにより上記基板を電気絶縁材で被覆するスパッタ装置において、上記スパッタされた原子流から遮蔽されるために位置する、電気的に絶縁された2次アノードを含むことを特徴とするスパッタ装置。
IPC (3件)：
C23C 14/38
, C23C 14/34
, H01L 21/203
