特許

J-GLOBAL ID：200903042638978318

パターン形成方法

発明者： 酒井 伊都子 ,  岡野 晴雄
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-225333
公開番号（公開出願番号）：特開平7-086125
出願日： 1993年09月10日
公開日（公表日）： 1995年03月31日
要約：

【要約】【目的】 基板上に微細なパターンを効率よく形成することが可能なパターン形成方法を提供しようとするものである。【構成】 基板に少なくとも重合触媒を含む官能基Xと前記基板と反応する官能基Yとを持つ分子を供給し、前記基板に前記官能基Yを反応させることにより前記分子を化学吸着させて吸着層を形成する工程と、前記吸着層に集束電子ビームを選択的に照射して照射領域の前記官能基Xを選択的に除去するか、もしくは選択的に不活性化する工程と、前記基板にモノマーを供給して未照射領域の前記吸着層にモノマーを選択的に重合させて高分子膜を形成する工程とを具備したことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

基板に少なくとも重合触媒を含む官能基Xと前記基板と反応する官能基Yとを持つ分子を供給し、前記基板上で前記官能基Yを反応させることにより前記分子を化学吸着させて吸着層を形成する工程と、前記吸着層に集束電子ビームを選択的に照射して照射領域の前記官能基Xを選択的に除去するか、もしくは選択的に不活性化する工程と、前記基板にモノマーを供給して未照射領域の前記吸着層にモノマーを選択的に重合させて高分子膜を形成する工程とを具備したことを特徴とするパターン形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/26 511 ,  G03F 7/38 512

FI (2件)：

H01L 21/30 541 P ,  H01L 21/30 502 R