特許

J-GLOBAL ID：200903042639537943

半導体基板のエツチング方法およびその装置

発明者： 柴田 滋
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 内原 晋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-259034
公開番号（公開出願番号）：特開平5-102124
出願日： 1991年10月07日
公開日（公表日）： 1993年04月23日
要約：

【要約】【構成】アルカリ水溶液とアルコールとからなるエッチャント(エッチング液)10を入れたエッチング槽11内でウェハー5をエッチングするもので、側面に複数個の羽根車3をもつ回転部4を有したエッチングキャリア1にウェハー5を配置収容し、羽根車3にエッチャント10の一部をポンプ9により排出して回転部4を回転させ、エッチャント10の全体をかく拌しながらウェハー5をエッチングする。【効果】エッチャントをかく拌してエッチャントの上部と下部の間のエッチング速度の差をなくし、エッチング後のウェハー内部における単結晶島の角部の侵食ばらつきをなくし、歩留りを向上させる。

請求項（抜粋）：

アルカリ水溶液とアルコールとからなるエッチング液を充填したエッチング槽内で半導体基板をエッチングする方法において、側面に複数個の羽根車をもつ回転部を有したエッチングキャリアに前記側面に面して前記半導体基板の面を配置収容し、前記羽根車に前記エッチング液の一部を排出して前記回転部を回転させて前記エッチング液の全体をかく拌しながら前記半導体基板をエッチングすることを特徴とする半導体基板のエッチング方法。