特許
J-GLOBAL ID：200903042642162411
シリコン基板上の化合物半導体の成長方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大島 陽一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-343790
公開番号（公開出願番号）：特開平6-244122
出願日： 1993年12月17日
公開日（公表日）： 1994年09月02日
要約：
【要約】【目的】 工程の簡略化と表面モフォロジーの改善とを、結晶性を低下させることなく実現し得るシリコン基板上の化合物半導体の成長方法を提供する。【構成】 化合物半導体のエピタキシャル膜が成長可能な程度に清浄な表面を有する清浄化されたシリコン基板上に化合物半導体のエピタキシャル膜を成長させるにあたり、化合物半導体の成長に必要な原材料の分解可能な温度から、その化合物半導体の単結晶成長が可能な成長温度までの昇温過程に於て、原材料を供給し続けるようにする。
請求項（抜粋）：
化合物半導体のエピタキシャル膜が成長可能な程度に清浄な表面を有する清浄化されたシリコン基板上に化合物半導体のエピタキシャル膜を成長させる方法であって、非晶質の化合物半導体が成長可能な成長開始温度から単結晶が成長可能な温度への昇温領域に於て原材料を連続的に供給することにより、非晶質の成長と、非晶質の昇温過程による単結晶の再配列化および単結晶化した成長層が広がって表面のシリコン基板を被覆することとを、同時に実現させるようにしたことを特徴とするシリコン基板上の化合物半導体の成長方法。
IPC (2件)：
引用特許：
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