特許
J-GLOBAL ID：200903042644428273
薄膜トランジスタ素子とその製造方法及び液晶表示装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鵜沼 辰之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-218329
公開番号（公開出願番号）：特開平5-055257
出願日： 1991年08月29日
公開日（公表日）： 1993年03月05日
要約：
【要約】【目的】 真空装置を用いることなく電極を形成すること。【構成】 ガラス基板1上に形成された導電層2と、導電層2上に形成されたアモルファスシリコン活性層3と、アモルファスシリコン活性層3上にゲート絶縁膜4を介して形成されたゲート電極5と、アモルファスシリコン活性層3上にn+型アモルファスシリコン7を介して形成されたドレイン電極9a,9bを備え、各電極が直流めっき法によって析出されている。
請求項（抜粋）：
基板上に形成された導電層と、導電層上に積層された半導体活性層と、半導体活性層上に積層されてドープ用元素を含む一対の半導体層と、半導体活性層上に絶縁層を介して積層されたゲート電極と、一方の半導体層上に積層されたドレイン電極と、他方の半導体層上に積層されたソース電極とを備えている薄膜トランジスタ素子。
IPC (4件)：
H01L 21/336
, H01L 29/784
, G02F 1/136 500
, H01L 27/12
H01L 29/78 311 P
, H01L 29/78 311 G
