特許

J-GLOBAL ID：200903042644661059

プラズマ処理装置

発明者： 佐々木 一郎 ,  太坪 徹
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-250891
公開番号（公開出願番号）：特開平5-090229
出願日： 1991年09月30日
公開日（公表日）： 1993年04月09日
要約：

【要約】【構成】処理室1の下部および排気管6の内部にクリーニング用電極10を設け、これに高周波を印加することにより、この部分でクリーニング用ガスのプラズマ11を発生させ、内壁に堆積した膜をエッチング除去する。【効果】処理室内壁及び排気管内壁を容易に全てクリーニングすることができ、半導体デバイス製造の生産性および歩留まりが向上する。

請求項（抜粋）：

真空を保持する構造の処理室と、前記処理室に処理ガスを導入する手段と前記処理室内にプラズマを発生維持する手段を設けたプラズマ処理装置において、前記処理室内に処理のためのプラズマ発生機構とは別に前記処理室の内壁をプラズマでクリーニングするためのプラズマ発生機構を備えたことを特徴とするプラズマ処理装置。