特許

J-GLOBAL ID：200903042645950615

半導体レーザの製造方法

発明者： 吉川 隆士 ,  小倉 一郎
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-073923
公開番号（公開出願番号）：特開平9-266350
出願日： 1996年03月28日
公開日（公表日）： 1997年10月07日
要約：

【要約】【課題】 面発光形レーザの生産性を向上させることを目的とする。【解決手段】 メサ7を形成したp形DBR6上に、酸化シリコンからなる応力制御パタン8を形成する。この応力制御パタン8は、被酸化層6aに形成する電流狭窄領域の形状にほぼ等しくする。この後、水蒸気中で430°Cに加熱することで、メサ7の側面の露出部より被酸化層6aを選択的に酸化する。

請求項（抜粋）：

化合物半導体からなる基板上に形成された化合物半導体多層構造の第1導電形を有する第1の分布ブラッグ反射膜および第2導電形を有する第2の分布ブラッグ反射膜と、前記第1および第2の分布ブラッグ反射膜に挟まれて形成された活性層と、前記活性層へ注入する電流路を狭窄するように形成された高抵抗領域とを備え、被酸化層を酸化することで前記高抵抗領域を形成した半導体レーザの製造方法において、前記被酸化層に応力を加えた状態で、前記被酸化層をその端部より所定時間熱酸化して前記高抵抗領域を形成する工程を備えたことを特徴とする半導体レーザの製造方法。

IPC (3件)：

H01S 3/18 ,  H01L 27/15 ,  H01L 33/00

FI (3件)：

H01S 3/18 ,  H01L 27/15 D ,  H01L 33/00 A