特許

J-GLOBAL ID：200903042651510899

Bi系酸化物超電導体の製造方法

発明者： トルン・ディン・タン ,  芳野 久士
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 須山 佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-245115
公開番号（公開出願番号）：特開平6-092717
出願日： 1992年09月14日
公開日（公表日）： 1994年04月05日
要約：

【要約】【目的】 高Tc 相を90% 以上というように高い比率で含有するBi系酸化物超電導体を、短時間焼成で再現性よく作製することを可能にしたBi系酸化物超電導体の製造方法を提供する。【構成】 Bi系酸化物超電導体またはその原料を、所定の温度で焼成するにあたり、焼成温度までの昇温過程の雰囲気中の酸素分圧を 3×10-2atm 以下とすると共に、焼成温度による保持過程の雰囲気中の酸素分圧を 5×10-2atm 〜 1.5×10-1atm の範囲とする。

請求項（抜粋）：

Bi系酸化物超電導体またはその原料を、所定の温度で焼成するにあたり、前記焼成温度までの昇温過程の雰囲気中の酸素分圧を 3×10-2atm 以下とすると共に、前記焼成温度による保持過程の雰囲気中の酸素分圧を 5×10-2atm 〜1.5×10-1atm の範囲とすることを特徴とするBi系酸化物超電導体の製造方法。

IPC (7件)：

C04B 35/00 ZAA ,  C01G 1/00 ,  C01G 29/00 ZAA ,  C04B 35/64 ZAA ,  H01B 13/00 565 ,  H01L 39/24 ZAA ,  H01B 12/00 ZAA

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平4-175225
  
• 特開平3-040954
  
• 特開平2-243519