特許

J-GLOBAL ID：200903042654049629

半導体装置及びその製造方法

発明者： 伊藤 和利 ,  大橋 健也 ,  本田 卓 ,  羽鳥 和夫
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-344934
公開番号（公開出願番号）：特開平10-189849
出願日： 1996年12月25日
公開日（公表日）： 1998年07月21日
要約：

【要約】【課題】Cu合金リードフレーム上に搭載されるパワー半導体素子の放熱を良好にするとともに、耐食信頼性を向上させることにある。【解決手段】Cu合金リードフレームのパワー半導体素子搭載部の裏面を外装樹脂表面に露出させて樹脂モールドするとともに、露出しているCu合金リードフレーム上に酸化皮膜からなる防錆皮膜を形成し、耐食性を向上させるようにした。【効果】半導体素子の放熱が可能となり、信頼性の向上が図れる。

請求項（抜粋）：

Cu合金リードフレーム上に半導体素子を搭載し、該半導体素子の接続端子と前記リードフレームとをボンディングワイヤにより接続し、これらを樹脂で一体成形してなる半導体装置において、前記リードフレームの素子搭載部の裏面上に有機系腐食抑制剤の化合物皮膜と酸化皮膜の上下2層からなる防錆皮膜を形成し、前記防錆皮膜が外装樹脂表面に露出した状態で一体にモールドしたことを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 23/48 ,  H01L 21/50 ,  H01L 23/34

FI (3件)：

H01L 23/48 F ,  H01L 21/50 A ,  H01L 23/34 B