特許

J-GLOBAL ID：200903042654593388

CVD装置のクリーニング方法

発明者： 大山 勝美
出願人/特許権者： 日立電子エンジニアリング株式会社
代理人 (1件)： 梶山 佶是 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-324953
公開番号（公開出願番号）：特開平6-145990
出願日： 1992年11月10日
公開日（公表日）： 1994年05月27日
要約：

【要約】【目的】 CVD装置の反応炉内表面を、人手による物理的なクリーニングによるのではなく、化学的にクリーニングする方法を提供すること。【構成】 ウエハを載置するための加熱可能な試料台と、ウエハ表面に所定の薄膜を形成するのに必要な反応ガスを導入する手段とを備える反応炉を有するCVD装置の前記反応炉内表面をクリーニングする方法において、前記試料台を350〜500°Cの範囲内の温度に加熱しながら、前記反応ガス導入手段から酸素およびオゾンからなる群から選択される少なくとも1種類の酸素系ガスと共に、NF3 ガスを前記反応炉内に送入する。CVD装置は例えば、常圧CVD装置、減圧CVD装置または光CVD装置などのようなセルフクリーニング機能を有しないCVD装置類である。

請求項（抜粋）：

ウエハを載置するための加熱可能な試料台と、ウエハ表面に所定の薄膜を形成するのに必要な反応ガスを導入する手段とを備える反応炉を有するCVD装置の前記反応炉内表面をクリーニングする方法において、前記試料台を350〜500°Cの範囲内の温度に加熱しながら、前記反応ガス導入手段から酸素およびオゾンからなる群から選択される少なくとも1種類の酸素系ガスと共に、NF3 ガスを前記反応炉内に送入することを特徴とするCVD装置のクリーニング方法。

IPC (2件)：

C23C 16/44 ,  H01L 21/205