半導体発光装置及びその製造方法

発明者： , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：日向寺雅彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-112345
公開番号（公開出願番号）：特開2006-186297
出願日： 2005年04月08日
公開日（公表日）： 2006年07月13日
要約：

【課題】金属反射体を備え、鉛フリー半田実装工程の温度に耐えうる半導体発光装置及びその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】電極パターンを有する絶縁基板と、前記絶縁基板の上に設けられ貫通穴を有する金属反射体と、前記絶縁基板と前記金属反射体との間に設けられた接着層と、前記貫通穴の中において、前記絶縁基板の上に設けられた半導体発光素子と、前記半導体発光素子を封止する樹脂と、を備え、前記貫通穴の内壁は傾斜した光反射面を有し、前記半導体発光素子から放射された光の少なくとも一部は前記光反射面により反射されて前記貫通穴から放出されることを特徴とする半導体発光装置を提供する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

電極パターンを有する絶縁基板と、前記絶縁基板の上に設けられ貫通穴を有する金属反射体と、前記絶縁基板と前記金属反射体との間に設けられた接着層と、前記貫通穴の中において、前記絶縁基板の上に設けられた半導体発光素子と、前記半導体発光素子を封止する樹脂と、を備え、前記貫通穴の内壁は傾斜した光反射面を有し、前記半導体発光素子から放射された光の少なくとも一部は前記光反射面により反射されて前記貫通穴から放出されることを特徴とする半導体発光装置。

IPC (1件)：

H01L 33/00

FI (1件)：

H01L33/00 N

Fターム (12件)：

5F041AA44 , 5F041CA76 , 5F041DA03 , 5F041DA07 , 5F041DA12 , 5F041DA13 , 5F041DA19 , 5F041DA42 , 5F041DA45 , 5F041DA72 , 5F041DA73 , 5F041DA78

引用特許：

出願人引用 (1件)

発光装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-097844 出願人：住友電気工業株式会社, ローム株式会社

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