特許
J-GLOBAL ID：200903042663866796
半導体装置およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
福森 久夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-218920
公開番号（公開出願番号）：特開2000-058748
出願日： 1998年08月03日
公開日（公表日）： 2000年02月25日
要約：
【要約】【課題】 本発明は、チップ状に切断した基板からなる半導体装置においても、この半導体装置を構成する基板の裏面側から赤外光を照射して行われる、半導体装置を構成する集積回路パタンおよび記憶情報の解読やこの記憶情報の改ざん等の不法行為に対して、防止できる手段を有する半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】 基板4Aの表面上に集積回路が配設された半導体装置において、入射した光を乱反射させる窪みおよび突起からなる乱反射部(照射痕跡4D)を、基板4Aの裏面4Cに複数形成してなる集合体と、溶融性粒子(タングステン粒子12)が基板4Aの裏面4Cで溶けて、乱反射部の窪みおよび突起に付着して形成された融着物とを設けた。
請求項（抜粋）：
基板の表面上に集積回路が配設された半導体装置において、入射した光を乱反射させる窪みおよび突起からなる乱反射部を、前記基板の裏面に複数形成してなる集合体と、溶融性粒子が前記基板の裏面で溶けて、前記各乱反射部の窪みおよび突起に付着して形成された融着物とを設けたことを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
Fターム (3件)：
5F038DF10
, 5F038EZ11
, 5F038EZ20
