特許
J-GLOBAL ID：200903042664873133
固体撮像装置およびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
前田 弘 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-217887
公開番号（公開出願番号）：特開平6-069481
出願日： 1992年08月17日
公開日（公表日）： 1994年03月11日
要約：
【要約】【目的】 半導体基板上に形成された受光部及び電荷転送部への光の漏れ込みにより発生する偽信号を防止し、スミア不良を低減させる。【構成】 P型半導体基板11上に形成された、受光部としてのフォトダイオード12の周縁部及び電荷転送部としてのN型埋め込みチャンネル14の上は100mμのWSi膜17によって覆われており、WSi膜17におけるN型埋め込みチャンネル14の上側部分は800mμのAl膜18によって覆われており、上記WSi膜17及びAl膜18の上は200mμのTiN膜19によって覆われている。従って、フォトダイオード12の周縁部の上側には300mμの遮光膜が形成され、N型埋め込みチャンネル14の上には1100mμの遮光膜が形成されている。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成された受光部及び電荷転送部を有する固体撮像装置であって、上記受光部の周縁部及び上記電荷転送部の上には第1の遮光膜が形成されており、該第1の遮光膜における上記電荷転送部の上側部分には第2の遮光膜が形成されており、上記第1の遮光膜及び第2の遮光膜の上には第3の遮光膜が形成されていることを特徴とする固体撮像装置。
IPC (2件)：
引用特許：
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