特許
J-GLOBAL ID：200903042667237947
半導体レーザ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
本庄 伸介
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-335670
公開番号（公開出願番号）：特開平5-152675
出願日： 1991年11月25日
公開日（公表日）： 1993年06月18日
要約：
【要約】【目的】 自然超格子を利用した窓構造AlGaInP系半導体レーザにおいて、窓とレーザ光のエネルギ差を大きくし、レーザ光最高出力値を大きくする。【構成】 第1伝導型GaAs基板上に、第1伝導型クラッド層と、GaInPまたはAlGaInPからなる自然超格子を形成した活性層と、第2伝導型クラッド層とが順次に積層されたダブルヘテロ構造を備え、前記活性層のレーザ光放射端面近傍の領域が不純物原子を含みバンドギャップエネルギが内部に比べ大きい窓構造において、前記第1伝導型GaAs基板の面方位が、(001)から[-110]または[1-10]方向に0°以上10°以下傾斜している。この基板面方位の傾斜によりレーザ光と窓とのエネルギ差を大きくすることができる。
請求項（抜粋）：
第1伝導型GaAs基板上に、第1伝導型クラッド層と、GaInPまたはAlGaInPからなる自然超格子を形成した活性層と、第2伝導型クラッド層とが順次に積層されたダブルヘテロ構造を備え、レーザ光放射端面近傍の領域における前記活性層が不純物原子を含む構造において、前記第1伝導型GaAs基板の面方位が、(001)から[-110]または[1-10]方向に0°以上10°以下傾斜し、レーザ光放射端面が(110)または(-1-10)であることを特徴とする半導体レーザ。
引用特許：
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