特許

J-GLOBAL ID：200903042669458126

電界勾配制御装置

発明者： スチュアート・シー・ハンセン ,  カール・エイ・マイヤーホルツ
出願人/特許権者： ヒューレット・パッカード・カンパニー
代理人 (1件)： 久保田 千賀志 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-266514
公開番号（公開出願番号）：特開平8-111205
出願日： 1995年09月20日
公開日（公表日）： 1996年04月30日
要約：

【要約】【課題】 コンタクト間およびメッシュ間に連続電圧勾配を発生させ、イオン試料の正確かつ効果的使用を可能とし、さらに製作に費用がかからず自己遮蔽型とすることも可能で、かつコンパクトな電界勾配制御装置を提供する。【解決手段】 外部電界を加えることによって荷電粒子流の経路を制御する電界勾配制御装置10において、予め決めた値のシート抵抗18を有し、第一と第二の断面領域をもち、その第一断面領域が荷電粒子流を受けるようにした囲壁構造12と、その囲壁構造に接続され、第一断面領域と一致して配置された第一金属化接続リング14Aと、その囲壁構造に接続され、第二断面領域と一致して配置された第二金属化接続リング14Bと、囲壁構造12内部に電圧勾配が形成されるよう第一と第二の金属化接続リング14A,14B間に電界をかけることによって荷電粒子流の経路を制御する制御装置10と、から成ることを特徴とする電界勾配制御装置。

請求項（抜粋）：

外部電界を加えることによって荷電粒子流の経路を制御する電界勾配制御装置において、予め決めた値のシート抵抗を有し、第一と第二の断面領域をもち、その第一断面領域が荷電粒子流を受けるようにした囲壁構造と、その囲壁構造に接続され、第一断面領域と一致して配置された第一金属化接続リングと、その囲壁構造に接続され、第二断面領域と一致して配置された第二金属化接続リングと、囲壁構造内部に電圧勾配が形成されるよう第一と第二の金属化接続リング間に電界をかけることによって荷電粒子流の経路を制御する制御装置と、から成ることを特徴とする電界勾配制御装置。

IPC (2件)：

H01J 49/40 ,  G01N 27/62