特許

J-GLOBAL ID：200903042669762577

半導体装置の製造方法

発明者： 福山 俊一 ,  小林 倫子
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-168572
公開番号（公開出願番号）：特開平5-021433
出願日： 1991年07月10日
公開日（公表日）： 1993年01月29日
要約：

【要約】【目的】 製造プロセス中の基板を平坦化する方法に関し,下地配線による段差を平坦化して, 膜厚が下地パターンに依存性しない層間絶縁膜の形成技術の提供を目的とする。【構成】 基板1上に形成された下地配線2上に撥水性樹脂膜5を被着する工程と,該基板上にスピンコート法による樹脂膜3Aの塗布を行う工程とを有するように構成する。また,前記下地配線上に撥水性樹脂膜を被着する工程が,基板上に配線膜と撥水性樹脂膜を順次被着し,レジスト膜6をエッチングマスクにして該配線膜と該撥水性樹脂膜を同時にパターニングし,該レジスト膜を剥離後に該撥水性樹脂膜表面の酸化膜をフッ酸を含む溶液で処理して除去するように構成する。

請求項（抜粋）：

基板(1) 上に形成された下地配線(2) 上に撥水性樹脂膜(5)を被着する工程と,該基板上にスピンコート法による樹脂膜(3A)の塗布を行う工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。