特許

J-GLOBAL ID：200903042678858331

プラズマ処理装置

発明者： 笹村 義孝
出願人/特許権者： 日新電機株式会社
代理人 (1件)： 川瀬 茂樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-179568
公開番号（公開出願番号）：特開平8-022980
出願日： 1994年07月06日
公開日（公表日）： 1996年01月23日
要約：

【要約】【目的】 複数の上部電極と、下部電極を含み、上部電極は位相の異なる第1の高周波が印加され、回転電界を形成し、下部電極は基板を置いて、第2の高周波を印加したプラズマ処理装置の改良。プラズマを形成する物質が上部電極に付着し堆積層となる。これが時に剥離して、下部電極の上にある基板に落ちることがある。すると基板が汚染される。これを避けるために真空チャンバを開き上部電極をたびたび清掃しなければならなかった。チャンバを開いて電極の清掃をする必要のない処理装置を提供する。【構成】 真空チャンバの真空を維持したまま、プラズマ自体を利用して上部電極を清掃する。このために、下部電極から基板を取り除き、下部電極は接地して、上部電極に下部電極用の第2の高周波を印加する。プラズマが発生するが、これが自己バイアスされて負電位にある上部電極に衝突し、これをエッチングする。上部電極に付着したプラズマガス成分が除去される。基板の搬送期間を利用して上部電極をエッチングするようにすると、エッチングのために余分な時間を必要としない。

請求項（抜粋）：

真空に引くことのできる真空チャンバと、真空チャンバから絶縁されて真空チャンバの上部に設けられる上部電極と、真空チャンバにガスを導入するガス導入口と、真空チャンバの下方に真空チャンバと絶縁されて設けられる下部電極と、上部電極に第1の高周波RF1を供給するための第1高周波電源と、下部電極或いは上部電極に第2の高周波RF2を供給するための第2高周波電源と、第2高周波電源と、下部電極と上部電極を択一的に結合するスイッチと、下部電極を接地電位と第2高周波電源に択一的に接続するスイッチとを含み、ウエハ-に処理を施す場合は、上部電極に第1高周波を、下部電極に第2高周波を印加して下部電極の上に置いたウエハ-にプラズマ処理を行うこととし、上部電極を清掃する場合は下部電極からウエハ-を除き、下部電極は接地し、上部電極に第2高周波を印加して上部電極を自己バイアスさせてプラズマにより上部電極を清浄にするようにしたことを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (6件)：

H01L 21/3065 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/304 341 ,  H01L 21/31 ,  H05H 1/46

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 多ゾーン・プラズマ処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-152458   出願人：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド
• 特開昭62-125626
  
• 特開昭62-125626