特許
J-GLOBAL ID：200903042684361899
フッ化リチウムカルシウムアルミニウム単結晶およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉村 暁秀 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-166708
公開番号（公開出願番号）：特開2000-351695
出願日： 1999年06月14日
公開日（公表日）： 2000年12月19日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 高品質のフッ化リチウムカルシウムアルミニウム単結晶単結晶を製造する。【解決手段】 (a)原料のLiF, CaF2, AlF3, CeF3及び NaF の混合比がモル比でLiF:(CaF2+ CeF3十NaF):AlF3 = 1〜1.02:1:1〜1.03、かつCaF2 :CeF3 : NaF=0.85〜0.994 : 0.05〜0.001 : 0.1〜0.005となり、かつNaFの濃度が常にCeF3の濃度のモル比で2倍となるように混合粉末フッ化物原料を準備し、(b)高真空中で、例えば500°C以上で1000°Cの範囲内の温度まで加熱、融解後、作製炉内にフロン系ガスを導入し、表面を含む融液あるいは溶液内の不純物と、十分な時間反応させて不純物を除去し、融液成長法によってフッ化リチウムカルシウムアルミニウム単結晶を製造することを特徴とするセリウムを添加したフッ化リチウムカルシウムアルミニウム単結晶の製造方法。
請求項（抜粋）：
(a)原料のLiF, CaF2, AlF3, CeF3及び NaF の混合比がモル比でLiF:(CaF2+ CeF3十NaF):AlF3 = 1〜1.02:1:1〜1.03、かつCaF2: CeF3 : NaF=0.85〜0.994 : 0.05〜0.001 : 0.1〜0.005となり、かつNaFの濃度が常にCeF3の濃度のモル比で2倍となるように混合粉末フッ化物原料を準備し、(b)10-6torr以上の高真空を保ちながら、粉末フッ化物原料を室温から500°C以上で所定の温度の範囲内の温度まで加熱し、炉内において原料中に含まれる水分・酸素を除去し、(c)原料を融解後、作製炉内にフロン系ガスを導入し、融液あるいは溶液表面に発生する不純物および融液あるいは溶液内に存在する不純物と、作製炉内のフロン系ガスとを、不純物を除去するのに十分な時間反応させることによって不純物を除去し、(d)得られた融液あるいは溶液から融液成長法によってフッ化リチウムカルシウムアルミニウム単結晶を製造することを特徴とするセリウムを添加したフッ化リチウムカルシウムアルミニウム単結晶の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
C30B 29/12
, C30B 15/00 Z
4G077AA02
, 4G077AB01
, 4G077AB10
, 4G077BE02
, 4G077CD10
, 4G077CF10
, 4G077EB01
, 4G077EB05
, 4G077EC08
, 4G077EC10
, 4G077MB02
, 4G077PA06
, 4G077PA11
