特許

J-GLOBAL ID：200903042684860488

半導体エピタキシャルウエーハの製造方法および半導体エピタキシャルウエーハ

発明者： 岡 哲史
出願人/特許権者： 信越半導体株式会社
代理人 (1件)： 好宮 幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-386729
公開番号（公開出願番号）：特開2003-188107
出願日： 2001年12月19日
公開日（公表日）： 2003年07月04日
要約：

【要約】【課題】 ウエーハの反りが小さく、ゲッタリング能力の高いポリシリコン膜を有する高品質な半導体エピタキシャルウエーハを安価に高生産性で製造する。【解決手段】 半導体ウエーハの表裏面にドーパント揮散防止用保護膜を形成し、前記半導体ウエーハの表面に形成したドーパント揮散防止用保護膜を除去した後、前記半導体ウエーハを反応炉内に配置し、前記反応炉内にエピタキシャル成長ガスを導入することにより、前記反応炉内に配置した半導体ウエーハの表面にエピタキシャル膜を、裏面にポリシリコン膜を、それぞれ同時に形成する半導体エピタキシャルウエーハの製造方法。および、半導体ウエーハの表面にエピタキシャル膜が形成され、前記半導体ウエーハの裏面にドーパント揮散防止用保護膜が形成され、前記ドーパント揮散防止用保護膜上に前記エピタキシャル膜と同じ導電型を有するポリシリコン膜が形成されている半導体エピタキシャルウエーハ。

請求項（抜粋）：

半導体エピタキシャルウエーハの製造方法であって、少なくとも、半導体ウエーハの表裏面にドーパント揮散防止用保護膜を形成し、前記半導体ウエーハの表面に形成したドーパント揮散防止用保護膜を除去した後、前記半導体ウエーハを反応炉内に配置し、前記反応炉内にエピタキシャル成長用ガスを導入することにより、前記反応炉内に配置した半導体ウエーハの表面にエピタキシャル膜を、裏面にポリシリコン膜を、それぞれ同時に形成することを特徴とする半導体エピタキシャルウエーハの製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/205 ,  C30B 29/06 504

FI (2件)：

H01L 21/205 ,  C30B 29/06 504 A

Fターム (23件)：

4G077AA03 ,  4G077BA04 ,  4G077DB04 ,  4G077ED04 ,  4G077HA06 ,  4G077TA04 ,  4G077TB02 ,  4G077TC02 ,  4G077TK04 ,  4G077TK13 ,  5F045AA06 ,  5F045AB02 ,  5F045AB03 ,  5F045AC01 ,  5F045AC03 ,  5F045AD10 ,  5F045AD11 ,  5F045AD12 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AF03 ,  5F045AF08 ,  5F045BB08