特許

J-GLOBAL ID：200903042690052237

SOI基板の製造方法

発明者： 畠山 哲夫
出願人/特許権者： 川崎製鉄株式会社
代理人 (1件)： 小林 英一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-031698
公開番号（公開出願番号）：特開平6-244388
出願日： 1993年02月22日
公開日（公表日）： 1994年09月02日
要約：

【要約】【目的】 張り合わせSOI基板の製造方法を提供する。【構成】 第1のシリコンウェーハ1を高温の水素雰囲気中でアニールした後、酸化膜2を形成する工程と、該第1のシリコンウェーハ1の一方の面の酸化膜2を除去する工程と、前記第1のシリコンウェーハ1の残存した酸化膜2を張り合わせ面として第2のシリコンウェーハ3を張り合わせて、該張り合わせ面と反対側の面に電圧を印加して接着させる工程と、前記第1のシリコンウェーハ1のシリコン層の厚さを減じて薄膜シリコン層8を形成する工程と、から構成することにより、絶縁破壊を生じない張り合わせSOI基板の製造を可能とする。

請求項（抜粋）：

第1のシリコンウェーハを高温の水素雰囲気中でアニールした後、酸化膜を形成する工程と、該第1のシリコンウェーハの一方の面の酸化膜を除去する工程と、前記第1のシリコンウェーハの残留した酸化膜を張り合わせ面として第2のシリコンウェーハを張り合わせて、該張り合わせ面と反対側の面に電圧を印加して接着させる工程と、前記第1のシリコンウェーハのシリコン層の厚さを減じて薄膜シリコン層を形成する工程と、からなることを特徴とするSOI基板の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 27/12 ,  H01L 21/02