特許
J-GLOBAL ID:200903042692690290

透明導電膜の形成方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 杉村 次郎
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-184227
公開番号(公開出願番号):特開平10-012060
出願日: 1996年06月26日
公開日(公表日): 1998年01月16日
要約:
【要約】【課題】 ITO膜のシート抵抗を小さくする。【解決手段】 平面サイズ320mm×340mmのガラス基板11上にスパッタリング法により成膜された膜厚500Å程度のITO膜12に、ビームサイズを360mm×0.1mmの細長い帯状とされたKrFエキシマレーザをエネルギ密度60〜120mJ/cm2程度でビーム幅方向にオーバーラップさせながらスキャン照射する。すると、ITO膜12が再結晶化し、この再結晶化したITO膜12のシート抵抗は成膜時よりも小さくなる。
請求項(抜粋):
基板上に成膜した透明導電膜にレーザを照射することにより、成膜時よりも抵抗率の小さい透明導電膜を形成することを特徴とする透明導電膜の形成方法。
IPC (6件):
H01B 13/00 503 ,  C03C 17/245 ,  C03C 23/00 ,  C23C 14/58 ,  C30B 33/04 ,  H01B 5/14
FI (6件):
H01B 13/00 503 B ,  C03C 17/245 A ,  C03C 23/00 D ,  C23C 14/58 C ,  C30B 33/04 ,  H01B 5/14 A

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