特許
J-GLOBAL ID：200903042694793223
誘電体薄膜
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-305625
公開番号（公開出願番号）：特開平9-040462
出願日： 1995年11月24日
公開日（公表日）： 1997年02月10日
要約：
【要約】【課題】BaTiO3 系の誘電体材料の薄層化については、サイズ効果による比誘電率の低下およびDCバイアス特性の低下について解決されていなかった。【解決手段】金属元素としてBa,Ti,Zrを含有するペロブスカイト型複合酸化物からなる誘電体薄膜であって、これらの成分をBaTi1-x Zrx O3 と表した時のxおよびペロブスカイト結晶の平均結晶粒径d(μm)が、図1における線分A B C D E F G H Aで囲まれる範囲内にある誘電体薄膜である。
請求項（抜粋）：
金属元素としてBa,Ti,Zrを含有するペロブスカイト型複合酸化物からなる誘電体薄膜であって、これらの成分をBaTi1-x Zrx O3と表した時のxおよびペロブスカイト結晶の平均結晶粒径d(μm)が、図1における線分A B C D E F G H Aで囲まれる範囲内にあることを特徴とする誘電体薄膜。
IPC (2件)：
FI (2件)：
C04B 35/49 Z
, H01B 3/00 F
