特許

J-GLOBAL ID：200903042696221030

半導体装置の製造方法

発明者： 益田 耕一郎
出願人/特許権者： 株式会社三井ハイテック
代理人 (1件)： 中前 富士男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-339554
公開番号（公開出願番号）：特開2001-156099
出願日： 1999年11月30日
公開日（公表日）： 2001年06月08日
要約：

【要約】【課題】 エラストマー層の変形を防ぎ、安定したワイヤボンディングを行って高い品質の半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 電極パッド21とエラストマー層30の表面側に配置された導体リード42とをボンディングワイヤ70を介して電気的に接続する場合、予め超音波接合法を行う領域の近傍に位置するエラストマー層30を液化窒素又はエタノールを含む揮発性の冷媒80で一時的に冷却し、エラストマー層30を硬化した状態で行う。

請求項（抜粋）：

表面に複数の電極パッドを有する半導体チップと、絶縁性部材の半導体チップ搭載面側にワイヤボンディング領域を有する複数の導体リードからなる導体リード層を設けた半導体チップ搭載回路基板と、これらを接合する前記電極パッドを露出する空間部を有するエラストマー系の絶縁性接着剤層とを備え、前記ワイヤボンディング領域とそれぞれ対応する前記電極パッドとの間を超音波接合法を用いて電気的導通回路を形成するワイヤボンディングを行った後、前記空間部に封止樹脂を充填する半導体装置の製造方法において、前記電気的導通回路を形成するワイヤボンディングは、予め前記超音波接合法を行う領域の近傍に位置する前記エラストマー系の絶縁性接着剤層を液化窒素又はエタノールを含む揮発性の冷媒で一時的に冷却し、前記エラストマー系の絶縁性接着剤層を硬化した状態で行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/60 301 ,  H01L 23/12 ,  H01L 23/14

FI (3件)：

H01L 21/60 301 D ,  H01L 23/12 L ,  H01L 23/14 R

Fターム (3件)：

5F044AA02 ,  5F044CC01 ,  5F044CC04