特許
J-GLOBAL ID：200903042697281258
シリコン酸化膜ドライエッチングの後処理方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
船橋 国則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-136060
公開番号（公開出願番号）：特開平5-304129
出願日： 1992年04月27日
公開日（公表日）： 1993年11月16日
要約：
【要約】【目的】 下層配線膜がアルミ合金であるシリコン酸化膜の、ドライエッチング工程で発生するアルミ化合物ポリマ-を除去すると共に、コンタクトホ-ルの空孔の発生を抑え、上下配線膜間の良好な導通状態を確保する。【構成】 シリコン酸化膜13をドライエッチングした後の工程に、酸素プラズマを照射しアルミ合金膜から成る下層配線膜12の露出した表面にアルミ酸化膜層15を生成する工程と、アルミ腐食性のあるレジスト剥離液を用いて、上記ドライエッチング工程で発生するアルミ化合物ポリマ-10とアルミ酸化膜層15を同時に除去する工程からなる。
請求項（抜粋）：
下層配線がアルミ合金膜であるシリコン酸化膜に、レジストをマスクとしてエッチングガスによりスッパッタリングを行った後の処理方法であって、(1)酸素プラズマを照射し、前記シリコン酸化膜上の前記レジストを炭化する工程と、(2)前記酸素プラズマを照射し続け、前記アルミ合金膜から成る下層配線膜の露出した表面に所定厚のアルミ酸化膜層を生成させる工程と、(3)アルミ腐食性のあるレジスト剥離液を用いて、前記工程で炭化した前記レジストを剥離すると共に前記工程で生成させた前記アルミ酸化膜層を除去する工程とから成ることを特徴とするシリコン酸化膜ドライエッチングの後処理方法。
IPC (3件)：
H01L 21/304 341
, H01L 21/027
, H01L 21/302
